K9F4G08U0D-SIB0 سامسونج أجزاء الجهاز المكونة SMT تجميعها

K9F4G08U0D-SIB0 تجميع مكونات رقاقة سامسونج

معلومات مفصلة:

1 ، اسم الجزء: مكون رقاقة

2 ، الموديل: K9F4G08U0D-SIB0

3 ، العلامة التجارية: سامسونج

4 ، الحالة: أصلي جديد

5 ، الأصل: كوري

• رقم جزء الشركة المصنعة:

  K9F4G08U0D-SIB0000

• كود بنفايات:

  نعم

• كود دورة الحياة الجزئية:

  عفا عليها الزمن

• حزمة الوصف:

  12 × 20 مم ، 0.50 مم حفرة ، هالوجين وخالية من الرصاص ، بلاستيك ، TSOP1-48

• الصانع:

  سامسونج أشباه الموصلات

• تصنيف المخاطر:

  5.84

• وقت الوصول ماكس:

  25 نانوثانية

• واجهة مستخدم الأمر:

  نعم

• اقتراع البيانات:

  رقم

• JESD-30 كود:

  R-PDSO-G48

• طول:

  18.4 ملم

• كثافة الذاكرة:

  4294967296 بت

• نوع الذاكرة IC:

  فلاش

• عرض الذاكرة:

  8

• عدد الوظائف:

  1

• عدد القطاعات / الحجم:

  4K

• عدد المحطات:

  48

• عدد الكلمات:

  536870912 كلمة

• كود عدد الكلمات:

  512000000

• وضع التشغيل:

  غير متزامن

• درجة حرارة التشغيل:

  85 درجة مئوية

• درجة حرارة التشغيل- دقيقة:

  -40 درجة مئوية

• منظمة:

  512 م × 8

• حزمة مواد الجسم:

  بلاستيك / إيبوكسي

• كود الحزمة:

  TSOP1

• رمز معادلة الحزمة:

  TSSOP48 ، .8 ، 20

• شكل العبوة:

  مستطيلي

• نمط الحزمة:

  مخطط صغير ، ملف تعريف رفيع

• مقاس الصفحه:

  2K الكلمات

• متوازي / مسلسل:

  موازى

• درجة حرارة الانحدار القصوى (سل):

  غير محدد

• مزودات الطاقة:

  3 / 3.3 فولت

• برمجة الجهد:

  3.3 فولت

• حالة التأهيل:

  غير مؤهل

• جاهز / مشغول:

  نعم

• ارتفاع الجلوس ماكس:

  1.2 ملم

• حجم القطاع:

  128 ك

• الاستعداد الحالي - ماكس:

  0.00005 أ

• تصنيف فرعي:

  ذكريات فلاش

• العرض الحالي - ماكس:

  0.03 مللي أمبير

• إمداد الجهد الأقصى (Vsup):

  3.6 فولت

• توريد الجهد- Min (Vsup):

  2.7 فولت

• توريد الجهد- Nom (Vsup):

  3.3 فولت

• سطح جبل:

  نعم

• تكنولوجيا:

  CMOS

• درجة الحرارة:

  صناعي

• شكل المحطة:

  جناح النورس

• الملعب النهائي:

  0.5 ملم

• موقف المحطة:

  مزدوج

• الوقت @ درجة حرارة الانكسار القصوى - الحد الأقصى (درجات):

  غير محدد

• تبديل بت:

  رقم

• يكتب:

  نوع NAND

• عرض:

  12 ملم